|
Λεπτομέρειες:
|
Τύπος ινών: | G652D/G657A | Απόσβεση: | @850nm @1300nm @1310nm @1550nm |
---|---|---|---|
Διάφραση ζώνης: | @ 850nm @ 1300nm | Διάμετρος στενής ινώδους θωρακιστής: | 900±50μm |
Γ.652 | Γ.655 | 50/125um | 62.5/125um | |||
Αμβλύνσεις (+20) | @850nm | ≤ 3,0 dB/km | ≤ 3,0 dB/km | |||
@1300nm | ≤1,0 dB/km | ≤1,0 dB/km | ||||
@1310nm | ≤ 0,36 dB/km | ≤ 0,36 dB/km | ||||
@1550nm | ≤ 0,22 dB/km | ≤ 0,23 dB/km | ||||
Διάφραγμα ζώνης (κλάση Α 850nm) | @850nm | ≥ 500 MHz.km | ≥ 500 MHz.km | |||
@1300nm | ≥ 1000 MHz.km | ≥ 600 Mhz.km | ||||
Αριθμητικό άνοιγμα | 0.200±0.015NA | 0.275±0.015NA | ||||
μήκος κύματος διακοπής καλωδίου | ≤ 1260nm | ≤ 1260nm |
Τύπος καλωδίου | Στενή διάμετρος mm | Διάμετρος καλωδίου mm | Βάρος καλωδίου kg/km | Δυνατότητα τέντωσης μακροπρόθεσμη/χυποπρόθεσμη N | Αντίσταση σε συντριβή μακροπρόθεσμη / βραχυπρόθεσμη N/100m | Ράδιο κάμψης στατικό/δυναμικό mm |
ΓΓΣΦΥΒ | 0.6 | 2.0*4.1 | 30 | 300/750 | 200/1000 | 20H/10H |
ΓΓΣΦΥΒ | 0.6 | 2.8*5.7 | 35 | 300/750 | 200/1000 | 20H/10H |
ΓΓΣΦΥΒ | 0.9 | 3.0*6.1 | 43 | 300/750 | 200/1000 | 20H/10H |
Θερμοκρασία μεταφοράς | -20°C+60°C |
Θέρμανση αποθήκευσης | -20°C+60°C |
Θέρμανση εγκατάστασης | -5 °C+ 50 °C |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -20°C+60 °C |
Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr.
Τηλ.:: +86-17706692077